在芯片行業(yè)，芯片的可靠性和性能是至關(guān)重要的。為了確保芯片在及端環(huán)境下的穩(wěn)定性和耐久性，各國都制定了一系列嚴格的測試標準。其中，美國的MIL-STD-883是全球范圍內(nèi)應用zui廣泛的微電子器件測試標準之一，而中國的guo軍標（GJB）則在本土領(lǐng)域具有quan威性。本文科準測控小編將重點介紹GJB 548C-2021及其相關(guān)標準在推拉力測試中的應用，并結(jié)合科準測控小編的專業(yè)視角，探討如何確保測試的準確性和合規(guī)性。
一、國際標準MIL-STD-883
MIL-STD-883是由美國國防部發(fā)布的《微電子器件試驗方法和程序》標準，涵蓋了微電子器件的環(huán)境適應性、可靠性測試、機械及電氣特性等要求。該標準在全球范圍內(nèi)被廣泛采用，是芯片測試領(lǐng)域zuijuquan威性的標準之一。
二、中國guo軍標（GJB）相關(guān)標準
在其領(lǐng)域，與MIL-STD-883對應的國家標準主要包括以下幾個重要規(guī)范：
1、GJB 597B-2012《半導體集成電路總規(guī)范》
對標內(nèi)容：類似MIL-PRF-38535（集成電路性能規(guī)范）。
封裝要求：規(guī)定芯片封裝的氣密性、引線材料、耐環(huán)境性能等，補充了GJB 548C的測試框架。
2、GJB 2438A-2021《混合集成電路通用規(guī)范》
對標內(nèi)容：類似MIL-PRF-38534（混合微電路通用規(guī)范）。
封裝要求：針對混合集成電路的多芯片封裝（MCM）、陶瓷封裝，提出鍵合工藝、密封性、熱循環(huán)等專項測試。
3、GJB 150A-2009《jun用設備環(huán)境試驗方法》
對標內(nèi)容：類似MIL-STD-810（環(huán)境工程考慮與實驗室試驗）。
封裝相關(guān)：振動、沖擊、溫度循環(huán)等試驗，用于驗證封裝結(jié)構(gòu)在及端環(huán)境下的可靠性。
4、GJB 360B-2009《電子及電氣元件試驗方法》
對標內(nèi)容：類似MIL-STD-202（電子元件試驗方法）。
封裝相關(guān)：引線疲勞、耐焊接熱等測試，適用于分立器件的封裝驗證。
三、GJB 548C-2021的核心測試方法
GJB 548C-2021是芯片封裝領(lǐng)域與MIL-STD-883最直接對應的標準，覆蓋鍵合強度、環(huán)境試驗、可靠性驗證等核心測試項目。以下是與推拉力測試相關(guān)的部分方法：
1、方法2004.3 引線牢固性
用于測試引線在機械應力下的牢固性，確保引線在振動和沖擊環(huán)境下的可靠性。
2、方法2011.2 鍵合強度之引線拉力
通過拉力測試驗證引線鍵合點的強度，確保鍵合點在及端條件下的穩(wěn)定性。
3、方法2019.3 芯片剪切強度
測試芯片與基板之間的粘接強度，確保芯片在高溫、低溫等環(huán)境下的可靠性。
4、方法2023.3 非破壞性鍵合拉力
通過非破壞性方式測試鍵合點的拉力，適用于高精度和高可靠性的芯片封裝。
5、方法2028 針陣列封裝的破壞性引線拉力
針對針陣列封裝的引線進行破壞性拉力測試，驗證引線在及端條件下的強度。
6、方法2029 陶瓷片式載體焊接強度（破壞性推力）
測試陶瓷片式載體焊接點的強度，確保焊接點在高溫和機械應力下的穩(wěn)定性。
8、方法2038 焊柱陣列封裝的破壞性引線拉力
針對焊柱陣列封裝的引線進行破壞性拉力測試，驗證引線在及端條件下的強度。
四、其他相關(guān)標準
1、MIL-STD-883E 微電路標準測試方法
提供了詳細的微電路測試方法，涵蓋環(huán)境適應性、機械性能和電氣特性。
2、JESD22-B117 高速剪向推球測試
用于測試芯片封裝的鍵合強度，特別是在高速剪切條件下的性能。
3、JESD22-B116 焊線剪切測試
用于驗證焊線在機械應力下的強度和可靠性。
五、總結(jié)
GJB 548C-2021作為芯片封裝測試的核心標準，與國際標準MIL-STD-883高度一致，涵蓋了鍵合強度、環(huán)境試驗和可靠性驗證等關(guān)鍵測試項目。結(jié)合GJB 597B、GJB 2438A等標準，可以構(gòu)建完整的芯片封裝質(zhì)量控制體系。在實際應用中，需重點關(guān)注國產(chǎn)化材料要求、數(shù)據(jù)追溯性及工藝控制等特殊條款，以確保合規(guī)性并提升產(chǎn)品競爭力。科準測控小編建議，在執(zhí)行這些測試時，應嚴格遵循標準要求，并結(jié)合實際應用場景進行優(yōu)化，以確保測試結(jié)果的準確性和可靠性。
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